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元数据

名称	氧化铪基铁电场效应晶体管存储器研究进展
科技资源标识	CSTR:11738.14.NCDC.XDA14.PP6134.2024
DOI	10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.10.001
数据共享方式	开放下载
摘要	铁电存储器是一种具有很多优异性能的非易失性存储器。总结了氧化铪 ( HfO2 ) 基铁电场效应晶体管 ( FeFET) 存储器的研究进展，并对其存储性能进行了探讨。具铁电性的掺杂 HfO2的薄膜可以薄至几纳米，并与 CMOS 工艺兼容，因此，FeFET 可作为新型存储器，但其存储的耐久性有限，会导致存储失效。FeFET 存储器的失效原因主要有疲劳、印记、保持性损失等。增强其耐久性的主要方法有铁电薄膜掺杂、退火处理、调整薄膜厚度、合理利用应变效应以及正确处理界面效应等。改善 FeFET 存储器的抗疲劳能力需考虑多种因素，如薄膜成分、加工过程的温度和压力条件等。对 HfO2基铁电薄膜抗疲劳问题的研究，应优先考虑薄膜成分，在此基础上研究加工工艺。
学科分类	170.20
关键词	氧化铪 ( HfO2 ) 铁电场效应铁电存储器存储失效抗疲劳
作者	潘奥霖,杜爱民
数据量	1.9 MiB
论文类型：	journal
论文网址：	https://bdtj.cbpt.cnki.net/WKE2/WebPublication/paperDigest.aspx?paperID=4c6c433d-5c31-42b0-b58d-fee7da4f062e#
期刊名称：	半导体技术
出版时间：	2021-09-01